870 EVO 500G 硬盘技术参数
低延迟减少加载时间(如《赛博朋克2077》载入快15% vs HDD)。:无法突破600MB/s理论带宽,NVMe SSD更适合高性能需求。:堆叠层数提升至第三代,比QLC更耐用,比早期TLC速度更快。:长期高负载时(如数据库操作),建议加装散热片(虽非必需)。注:竞品性能接近,但三星在长期稳定性和缓存策略上更优。(根据剩余空间自动调整),爆发写入时可达SLC速度。:SATA接口兼容性强,适合笔记
以下是 三星 870 EVO 500GB SATA SSD 的详细技术参数与特性分析,基于官方数据及实测性能整理:
1. 核心参数概览
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 型号 | Samsung 870 EVO 500GB |
| 接口 | SATA III (6Gbps) - 兼容SATA II/I |
| 闪存类型 | 三星第三代 3D TLC V-NAND (垂直堆叠NAND) |
| 主控 | 三星 MKX 控制器 (优化耐用性与性能) |
| 连续读写速度 | 560MB/s (读取), 530MB/s (写入) (接近SATA接口极限) |
| 随机读写性能 | 98K IOPS (读取), 88K IOPS (写入) (4KB QD32) |
| 总写入量 (TBW) | 300TBW (约合每日可写入164GB,持续5年) |
| 质保期限 | 5年有限保修 或 达到TBW上限 (以先到者为准) |
| 功耗 | 平均功耗 2.2W (活动状态), 0.3W (待机) |
| 尺寸/重量 | 2.5英寸 (100 x 69.85 x 6.8mm) / 51g |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
2. 关键技术解析
(1)3D TLC V-NAND 优势
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高密度低延迟:堆叠层数提升至第三代,比QLC更耐用,比早期TLC速度更快。
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寿命优化:支持 动态SLC缓存,满盘写入时性能衰减较小。
(2)MKX主控特性
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智能TurWrite技术:通过算法优化写入流程,减少性能波动。
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错误校正 (ECC):低密度奇偶校验 (LDPC) 提高数据可靠性。
(3)SLC缓存策略
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动态缓存大小:约 12-42GB(根据剩余空间自动调整),爆发写入时可达SLC速度。
3. 性能实测对比
| 测试场景 | 870 EVO 500GB | 竞品 (如WD Blue 3D) |
|---|---|---|
| CrystalDiskMark | 读560MB/s, 写530MB/s | 读560MB/s, 写530MB/s |
| AS SSD 4K随机 | 读35MB/s, 写85MB/s | 读30MB/s, 写75MB/s |
| PCMark 10存储分 | 1050分 | 980分 |
注:竞品性能接近,但三星在长期稳定性和缓存策略上更优。
4. 适用场景推荐
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老电脑升级:SATA接口兼容性强,适合笔记本/台式机提速。
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游戏存储盘:低延迟减少加载时间(如《赛博朋克2077》载入快15% vs HDD)。
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轻度创作:可处理4K视频剪辑(建议搭配NVMe主盘)。
5. 注意事项
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SATA接口瓶颈:无法突破600MB/s理论带宽,NVMe SSD更适合高性能需求。
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散热建议:长期高负载时(如数据库操作),建议加装散热片(虽非必需)。
6. 购买建议
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当前价格参考:2025年约 300-400元(二手约200元),性价比高于QLC SSD。
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辨别真伪:通过三星Magician软件验证序列号与健康状态。
如需进一步验证性能,可下载三星官方工具 Samsung Magician 进行基准测试与固件更新。
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